일 키오크시아, 332단 NAND 공개…초고층 기술 경쟁의 격화
일본 키오크시아가 332단 NAND 플래쉬 메모리를 개발중이라고 분명히 했다.
키오크시아는 최근, 미국 샌프란시스코에서 열린 국제 고체 회로 학회(ISSCC)에서 332단NAND플래시 기술을 공개했다.
현재 키오키시아가 양산하고 있는 최신의 NAND는 제8세대 218단 제품이다.이번 사양을 공개한 제품은 10세대에 구체적 양산 시점은 분명히 하지 않았다.
또, 데이터 입력 전력 효율은10%, 출력 효율은34% 개선해, 고성능저전력을 실현했다고 강조했다.동사는 이것을 기본으로 인공지능(AI) 데이터 센터를 공략할 계획이다.
10세대NAND에는, 8세대에 처음으로 도입된 하이브릿드본딘그 기술이 적용될 계획이다.데이터를 격납하는 「셀」이라고 그것을 구동하는 회로 「peripheral」를 각각 다른 웨이퍼로 실장해, 이것을 붙여 제품을 완성하는 방식이다.
최대의 특징은, 최신의NAND플래시 인터페이스 규격인 「타글DDR6.0」의 적용이다.키오크시아는 이것에 근거해 4.8Gb/s의 데이터 전송 속도를 확보했다.현재, 국내 기업이 도입한 최신 기술은 타글DDR5.1으로 최대 3.2Gb/s의 데이터 전송 속도를 서포트한다.
한·중·일간의 NAND 기술 경쟁은 한층 더 격렬해질 전망이다.NAND플래시는 단수가 높을 정도 성능이 뛰어난다.마치 고층 맨션을 올리도록(듯이), 보다 많은 데이터를 보존·처리할 수 있기 때문이다.
적층수로 현재 한국이 가장 먼저 있다가, 일본과 중국이 급속히 추격 하고 있다.중국 얀트메모리테크노로지(YMTC)도 금년 초, 제5세대 270단NAND개발을 완료하고 양산에 들어갔다. 2016년에 사업에 진출하고 나서 10년만에 리더와의 기술 격차를 크게 짰다.
현재 300단 이상의NAND는SK하이 닉스 제 9세대 321단 제품이 유일하다.삼성 전자의 제9세대
SK하이 닉스와 삼성 전자는, 400단 이상의 10세대 제품으로 키오키시아,YMTC가 사용하는 하이브릿드본딘그 방식을 도입할 예정이다.
日キオクシア技術 サムスン電子 追い越しｗｗ＾＾キオクシア第8世代NAND構造。ハイブリッドボンディングを使用しており、最近発表した10世代NANDにも同じ方式が使用される予定だ。
日本キオクシアが３３２段ＮＡＮＤフラッシュメモリを開発中だと明らかにした。
キオクシアは最近、米国サンフランシスコで開かれた国際固体回路学会（ISSCC）で332段NANDフラッシュ技術を公開した。
現在キオキシアが量産している最新のＮＡＮＤは第８世代２１８段製品だ。今回仕様を公開した製品は10世代で具体的量産時点は明らかにしなかった。
キオクシアは、第8世代のNANDに対するデータ転送速度が33%改善された4.8Gb/sで、単位面積当たりの記憶容量は59%増加したと説明した。
また、データ入力電力効率は10%、出力効率は34%改善し、高性能低電力を実現したと強調した。同社はこれを基に人工知能（AI）データセンターを攻略する計画だ。
10世代NANDには、8世代で初めて導入されたハイブリッドボンディング技術が適用される計画だ。データを格納する「セル」とそれを駆動する回路「ペリフェラル」をそれぞれ異なるウェーハで実装し、これを貼り付けて製品を完成する方式だ。
最大の特徴は、最新のNANDフラッシュインターフェース規格である「トグルDDR 6.0」の適用だ。キオクシアはこれに基づいて4.8Gb/sのデータ転送速度を確保した。現在、国内企業が導入した最新技術はトグルDDR 5.1で最大3.2Gb/sのデータ転送速度をサポートする。
韓・中・日間のＮＡＮＤ技術競争はさらに激しくなる見通しだ。 NANDフラッシュは単数が高いほど性能に優れる。まるで高層マンションを上げるように、より多くのデータを保存・処理できるからだ。
積層水で現在韓国が最も先にあるが、日本と中国が急速に追撃している。中国ヤンツメモリーテクノロジー(YMTC)も今年初め、第5世代270段NAND開発を完了して量産に入った。 2016年に事業に進出してから10年ぶりにリーダーとの技術格差を大きく絞った。
現在300段以上のNANDはSKハイニックス第9世代321段製品が唯一だ。サムスン電子の第9世代NANDは286段だ。
SKハイニックスとサムスン電子は、400段以上の10世代製品でキオキシア、YMTCが使用するハイブリッドボンディング方式を導入する予定だ。
日キオクシア、332段NAND公開…超高層技術競争の激化
日本キオクシアが３３２段ＮＡＮＤフラッシュメモリを開発中だと明らかにした。
キオクシアは最近、米国サンフランシスコで開かれた国際固体回路学会（ISSCC）で332段NANDフラッシュ技術を公開した。
現在キオキシアが量産している最新のＮＡＮＤは第８世代２１８段製品だ。今回仕様を公開した製品は10世代で具体的量産時点は明らかにしなかった。
キオクシアは、第8世代のNANDに対するデータ転送速度が33%改善された4.8Gb/sで、単位面積当たりの記憶容量は59%増加したと説明した。
また、データ入力電力効率は10%、出力効率は34%改善し、高性能低電力を実現したと強調した。同社はこれを基に人工知能（AI）データセンターを攻略する計画だ。
10世代NANDには、8世代で初めて導入されたハイブリッドボンディング技術が適用される計画だ。データを格納する「セル」とそれを駆動する回路「ペリフェラル」をそれぞれ異なるウェーハで実装し、これを貼り付けて製品を完成する方式だ。
最大の特徴は、最新のNANDフラッシュインターフェース規格である「トグルDDR 6.0」の適用だ。キオクシアはこれに基づいて4.8Gb/sのデータ転送速度を確保した。現在、国内企業が導入した最新技術はトグルDDR 5.1で最大3.2Gb/sのデータ転送速度をサポートする。
韓・中・日間のＮＡＮＤ技術競争はさらに激しくなる見通しだ。 NANDフラッシュは単数が高いほど性能に優れる。まるで高層マンションを上げるように、より多くのデータを保存・処理できるからだ。
積層水で現在韓国が最も先にあるが、日本と中国が急速に追撃している。中国ヤンツメモリーテクノロジー(YMTC)も今年初め、第5世代270段NAND開発を完了して量産に入った。 2016年に事業に進出してから10年ぶりにリーダーとの技術格差を大きく絞った。
現在300段以上のNANDはSKハイニックス第9世代321段製品が唯一だ。サムスン電子の第9世代NANDは286段だ。
SKハイニックスとサムスン電子は、400段以上の10世代製品でキオキシア、YMTCが使用するハイブリッドボンディング方式を導入する予定だ。